18 nanometri!
Poarta tranzistorului este partea unui tranzistor care îl pornește și îl oprește, controlând fluxul de electroni dintre alte două părți, numite sursă și drenă. În cipurile din generația cunoscută drept „5 nanometri”, fiecare poartă are o lungime de 18–20 de nanometri, măsurată pe traseul de la sursă la drenă. Un nanometru este o miliardime de metru. Această denumire nu este o măsurătoare a porții.
Lungimea unei porți este distanța dintre sursa și drena unui tranzistor, peste care se află poarta. Din punct de vedere istoric, o poartă mai scurtă însemna un tranzistor cu comutare mai rapidă. Producătorii de cipuri nu cad de acord asupra modului în care să-și denumească generațiile. Foaia de parcurs internațională pentru dispozitive și sisteme (IRDS), publicată de organizația de inginerie IEEE, prevede dimensiunile tipice pentru întreaga industrie.
IRDS include generația „5 nanometri”, aflată în producție din 2020, cu porți lungi de 18 nanometri în cele mai rapide circuite și de 20 de nanometri în cele mai dens împachetate. Porțile vecine se află la 48 de nanometri distanță una de alta. Tranzistorii sunt construiți pe aripioare subțiri de siliciu, late de 7 nanometri și înalte de 50 de nanometri. Niciuna dintre aceste dimensiuni nu este la fel de mică ca 5 nanometri.
Generațiile ulterioare au porți mai scurte. IRDS indică 16–18 nanometri pentru generația „3 nanometri” din 2022 și 14 nanometri pentru generația „2 nanometri” din 2025. IRDS se așteaptă ca lungimea porților să nu se mai micșoreze după aproximativ 12 nanometri.
Până la mijlocul anilor 1990, numele unei generații de cipuri era lungimea porții. Distanța dintre firele din cablajul metalic al cipului, măsurată ca jumătate din distanța de la un fir la următorul, avea aproximativ aceeași valoare. Apoi producătorii de cipuri au început să micșoreze porțile mai repede decât orice altceva, păstrând totuși vechiul tipar de denumire.
Tranzistorii din generația „130 de nanometri” aveau porți cu o lungime de 70 de nanometri. Când Intel a trecut la tranzistori în formă de aripioară pentru generația sa „22 de nanometri”, în 2011, porțile aveau o lungime de 26 de nanometri.
Numărul generației „nu mai avea până atunci absolut nicio semnificație”, a declarat Paolo Gargini pentru IEEE Spectrum în 2020. Gargini a condus Foaia de parcurs tehnologică internațională pentru semiconductori, previziunea care a precedat IRDS. IRDS pune acum denumirile generațiilor între ghilimele. În schimb, propune ca fiecare generație să fie denumită după distanța dintre porți și distanța dintre firele de cablaj: generația „5 nanometri” ar fi G48M36.
S-au construit tranzistori de cercetare cu porți mult mai scurte. În 2016, o echipă a realizat un tranzistor din disulfură de molibden, cu o poartă lungă de 1 nanometru, folosind ca poartă un singur nanotub de carbon. În 2017, o altă echipă a construit tranzistori cu nanotuburi de carbon, având porți de 5 nanometri, care au avut performanțe mai bune decât tranzistorii din siliciu de aceeași dimensiune. Cercetătorii prevăd că tranzistorii din siliciu nu vor mai funcționa corect dacă sunt micșorați sub o lungime a porții de 5 nanometri.